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台積電30周年，董事長張忠謀也在年報中一一細數該公司在先進製程上的重大進展，其中10奈米已成功為客戶進行量產，7奈米將在今年初完成技術驗證並進入試產，而先進的5奈米將採用極紫外光（EUV）微影技術，預計2019年上半年進入試產階段。
由於不斷創新改進，台積電28奈米技術在量產已邁入第6年的去年、表現依舊強勁，營收持續攀高。此外，台積電持續降低16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）技術的缺陷密度並改進生產週期，除了行動處理器之外，這項製程在其他許多應用面也獲得很高的接受度，包括手機基頻、支援電玩遊戲的繪圖處理器、擴增實境與虛擬實境裝置、以及人工智慧系統等。
台積電表示，已進一步挑戰性能、晶片尺寸與功耗的極限，推出12奈米技術，預計今年下半年進入量產。
16奈米及12奈米技術皆能夠滿足成熟市場及超低功耗市場客戶的需求，包括低中階手機、消費性電子、數位電視、車用電子、以及物聯網，還有高階應用端的需求，包括高階行動及網路產品。
至於10奈米FinFET技術，該公司已於去年第4季開始拉升產能，期望在今年全年能夠穩健擴產。由於10奈米積極的製程微縮，因此能夠提供優異的晶片密度，為已為支援頂級行動市場做好準備。
台積電去年已經與主要客戶及矽智財供應商，攜手合作完成7奈米技術的矽智財設計並開始進行矽晶驗證，會依照計劃於今年春天開始試產。同時，5奈米技術的開發工作也持續進行，以達成2019年上半年試產的目標。台積電計劃在5奈米廣泛使用EUV微影技術來降低製程的複雜度。此外，著重於新電晶體與技術定義的密集先期開發工作也在持續進行中，以支援5奈米以下技術。
在先進封裝技術領域，台積電InFO技術已在去年量產，並且成功完成下一世代InFO解決方案的驗證，預計今年量產。台積電擴展中介層CoWoS技術的應用到16奈米製程，並且領先業界量產了整合多個第二代高頻寬記憶體（HBM2）與繪圖處理器（GPU）的超高階加速器，以支援人工智慧與深度學習的高效能運算市場。
(工商時報)
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